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1310nm CW DFB激光器芯片
產品特點
芯片采用自研脊波導結構工藝制成，輸出功率可以達到70 mW，芯片還具有低閾值電流和高可靠性的特點。
應用領域
數據中心硅光光模塊
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產品特點
芯片采用自研脊波導結構工藝制成，輸出功率可以達到70 mW，芯片還具有低閾值電流和高可靠性的特點。
應用領域
數據中心硅光光模塊
主要指標
指標 | 性能 |
閾值電流 | ≤ 35 mA |
輸出光功率 | 典型值 70 mW |
中心波長 | 1310 ± 10 nm |
斜效率 | ≤ 0.3 W/A |
邊模抑制比 | ≥ 35 dB |
相對強度噪聲 | ≤ -145 dB/Hz |
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