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56Gbaud/s CWDM EML激光器芯片

56Gbaud/s CWDM EML激光器芯片

產(chǎn)品特點(diǎn)
芯片集成DFB激光器和EA調(diào)制器，DFB光柵采用自研EBL工藝，EA調(diào)制器采用自研脊波導(dǎo)工藝。支持56Gbps速率的數(shù)據(jù)傳輸，具有低閾值電流，高輸出功率以及高可靠性的特點(diǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域
數(shù)據(jù)中心光模塊

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產(chǎn)品特點(diǎn)
芯片集成DFB激光器和EA調(diào)制器，DFB光柵采用自研EBL工藝，EA調(diào)制器采用自研脊波導(dǎo)工藝。支持56Gbps速率的數(shù)據(jù)傳輸，具有低閾值電流，高輸出功率以及高可靠性的特點(diǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域
數(shù)據(jù)中心光模塊

主要指標(biāo)




指標(biāo)


性能


閾值電流



≤ 35 mA


工作電流



50 - 100 mA


中心波長(zhǎng)



1271/1291/1311/1331 nm


輸出光功率



≥ 5 mW


PAM4傳輸速率



56 Gbaud/s


靜態(tài)消光比



≥ 9 dB


邊模抑制比



典型值 45 dB






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